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（原标题：EUV光刻耗电，被妖魔化了？） 如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自天下杂志，谢谢。 根据台积电最新的永续报告书显示，台积电去年能源总消耗量为224亿度，较前年的192亿度增加16.66%，达历年新高，其中，电力占达188.9亿度、年增15%，再创新高，并达能源总消耗量的84.3%，再生能源电力约占21.9亿度、仅9.7%。 其中，先进制程所采用的EUV成为耗电大户，针对这一点，ASML联系媒体做了澄清，「我们不是吃电怪兽。」 1 三理由还EUV清白 ASML提供

在英特尔和台积电之后国内平台配资，韩国芯片巨头也加入了EUV光刻机新竞赛。 三星电子半导体（DS）部门最早将于今年年底引进High NA极紫外（EUV）设备。除了下一代曝光设备之外，我们还在开发可以检查高数值孔径掩模的设备。看来他们正在积极从事技术开发，以便在与英特尔和台积电等全球半导体竞争对手的“芯片大战”中具有竞争力。 据业内人士13日报道，三星电子最早将于今年年底和明年第一季度开始进口该公司首款High NA EUV设备“EXE:5000”。据说，华城校区的半导体研究中心（NRD）被认为

（原标题：EUV薄膜，迎来新突破！） 如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自eetimes.jp，谢谢。 碳纳米管（CNT）作为极紫外（EUV）光刻中使用的薄膜材料而备受关注。尽管CNT具有许多优点，但将其应用于EUV薄膜时，其生产方法是一个问题。芬兰的 Canatu 正在致力于开发碳纳米管的新制造方法。 在当今的半导体制造业中，最先进的芯片是在 7nm 及以下代工艺中制造的，几乎没有误差余地。尽管这个微观世界面临着挑战和持续的压力，工程师和科学家仍在继续追求突破摩尔定律极限